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IPP65R190CFDAAKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHs标准
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统能效。栅源电压范围为-10V至+25V，确保器件在驱动过程中的稳定性和可靠性。基于碳化硅材料的物理特性，该器件展现出优异的高温稳定性、高耐压能力以及快速开关响应。适用于高功率密度电源转换应用，如高效AC-DC/DC-DC变换器、高压逆变装置、可再生能源发电系统中的功率调节模块以及对热性能和电气性能要求较高的电力电子设备。
- 商品型号
- IPP65R190CFDAAKSA1-HXY
- 商品编号
- C52754720
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |