IXTP20N65XM-HXY

IXTP20N65XM-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，在高温与高电压工作环境下仍能保持良好性能。栅源电压范围为-10V至+25V，支持可靠驱动控制。采用宽禁带半导体材料，具有低开关损耗、高开关频率和优异的热稳定性，适用于高压直流电源、高效能逆变装置、可再生能源发电系统及高功率密度电源转换模块的设计与实现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXTP20N65XM-HXY

商品编号

C52754725

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.84克(g)