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IXTP20N65XM-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，在高温与高电压工作环境下仍能保持良好性能。栅源电压范围为-10V至+25V，支持可靠驱动控制。采用宽禁带半导体材料，具有低开关损耗、高开关频率和优异的热稳定性，适用于高压直流电源、高效能逆变装置、可再生能源发电系统及高功率密度电源转换模块的设计与实现。
- 商品型号
- IXTP20N65XM-HXY
- 商品编号
- C52754725
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |