R6520KNX3C16-HXY

R6520KNX3C16-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定的开关控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的耐高温与高频性能，适用于高压直流变换、开关电源、光伏逆变及高密度电源模块等场景，有助于提升系统整体能效与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6520KNX3C16-HXY

商品编号

C52754724

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.01克(g)