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IPP60R199CPXKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-10V至+25V，确保驱动稳定性与器件可靠性。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高频开关能力、高温工作性能及较低的开关损耗。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高压直流变换模块、光伏发电逆变单元以及储能设备中的功率级电路，适合在对能效、热管理和功率密度有较高要求的应用中使用。
- 商品型号
- IPP60R199CPXKSA1-HXY
- 商品编号
- C52754723
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |