FCP190N65S3R0-HXY

FCP190N65S3R0-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统损耗。典型应用包括高压电源、DC-DC变换器、光伏逆变系统及储能装置中的高频功率拓扑，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCP190N65S3R0-HXY

商品编号

C52754721

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.92克(g)