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FCP190N65S3R0-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统损耗。典型应用包括高压电源、DC-DC变换器、光伏逆变系统及储能装置中的高频功率拓扑，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子场景。
- 商品型号
- FCP190N65S3R0-HXY
- 商品编号
- C52754721
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |