温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP65R190CFD7AAKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源电压额定值（VDSS）与20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至165mΩ，有效降低导通损耗。栅源电压范围为-10V至+25V，支持可靠驱动与负压关断，提升抗噪性能。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作稳定性与快速开关响应能力，适用于高效率功率转换系统。典型应用包括高频开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统的功率级设计，适合对能效、散热和空间利用率有较高要求的场景。
- 商品型号
- IPP65R190CFD7AAKSA1-HXY
- 商品编号
- C52754716
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |