IPP65R190CFD7AAKSA1-HXY

IPP65R190CFD7AAKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源电压额定值（VDSS）与20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至165mΩ，有效降低导通损耗。栅源电压范围为-10V至+25V，支持可靠驱动与负压关断，提升抗噪性能。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作稳定性与快速开关响应能力，适用于高效率功率转换系统。典型应用包括高频开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统的功率级设计，适合对能效、散热和空间利用率有较高要求的场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R190CFD7AAKSA1-HXY

商品编号

C52754716

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.95克(g)