IPP65R190CFDXKSA2-HXY

IPP65R190CFDXKSA2-HXY

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定驱动与负压关断，增强工作可靠性。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具备优异的高温耐受性与快速开关性能。适用于高功率密度、高频率的电力转换应用，如高效能电源模块、可再生能源逆变装置、储能系统功率级及大功率DC-DC变换器设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R190CFDXKSA2-HXY

商品编号

C52754717

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.94克(g)