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IPP65R190CFDXKSA2-HXY
碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHs标准
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定驱动与负压关断，增强工作可靠性。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具备优异的高温耐受性与快速开关性能。适用于高功率密度、高频率的电力转换应用，如高效能电源模块、可再生能源逆变装置、储能系统功率级及大功率DC-DC变换器设计。
- 商品型号
- IPP65R190CFDXKSA2-HXY
- 商品编号
- C52754717
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |