IPP65R190CFD7XKSA1-HXY

IPP65R190CFD7XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。器件栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定开关操作。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的耐压能力与开关速度，适用于高频率、高功率密度的电源系统，如高效能交直流转换装置、可再生能源逆变系统及高功率密度电源模块，能够在高温与高电压环境下保持可靠性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R190CFD7XKSA1-HXY

商品编号

C52754718

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.91克(g)