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MSJP20N65A-BP-HXY
MSJP20N65A-BP-HXY
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），在导通状态下典型电阻为165mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定的栅极驱动控制，确保开关可靠性。依托碳化硅材料的高热导率与高耐压特性，该器件适用于高频、高温及高功率密度的应用场景，如高效电源转换系统、可再生能源发电设备中的逆变单元、高压直流变换模块以及对效率和体积有较高要求的电力电子装置。
- 商品型号
- MSJP20N65A-BP-HXY
- 商品编号
- C52754711
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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