MSJP20N65A-BP-HXY

MSJP20N65A-BP-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），在导通状态下典型电阻为165mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定的栅极驱动控制，确保开关可靠性。依托碳化硅材料的高热导率与高耐压特性，该器件适用于高频、高温及高功率密度的应用场景，如高效电源转换系统、可再生能源发电设备中的逆变单元、高压直流变换模块以及对效率和体积有较高要求的电力电子装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MSJP20N65A-BP-HXY

商品编号

C52754711

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.83克(g)