AOT25S65L

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。栅源电压范围为-10V至+25V，确保器件在复杂电气环境下具备良好的开关稳定性与可靠性。基于碳化硅材料特性，该器件可在较高结温下稳定运行，同时降低开关损耗，适用于大功率电源变换器、太阳能逆变系统及高密度电源模块等应用，是实现小型化与高效能设计的理想选择之一。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOT25S65L

商品编号

C52754712

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.86克(g)