SPP20N65C3XKSA1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的优异特性，器件具有较高的开关速度和耐温能力，适用于高功率密度的电源转换系统。广泛用于高效直流变换器、高压逆变装置及大功率开关电源模块，在高频工作条件下仍能保持良好的热性能与电气稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPP20N65C3XKSA1-HXY

商品编号

C52754713

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.85克(g)