IPP65R190C7FKSA1-HXY

IPP65R190C7FKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为165mΩ，在高温与高频率工作条件下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围为-10V至+25V，确保器件在严苛环境中具备良好的开关稳定性与抗干扰能力。采用宽禁带半导体材料，显著降低开关损耗，提升系统能效。适用于高功率密度电源转换装置，如高效直流-直流变换器、太阳能逆变系统及高性能开关电源模块，满足对热性能与可靠性要求较高的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R190C7FKSA1-HXY

商品编号

C52754715

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.87克(g)