STP26N65DM2-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V，具备良好的栅极控制特性与开关稳定性。得益于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，器件可在高频、高温环境下可靠运行，广泛用于高效电源模块、可再生能源逆变系统、高密度开关电源及高压直流变换装置中，有助于提升系统整体能效与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP26N65DM2-HXY

商品编号

C52754709

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.87克(g)