温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
R6524KNX3C16-HXY
R6524KNX3C16-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-10V至+25V范围，具备良好的驱动兼容性与可靠性。基于碳化硅半导体材料，器件具备优异的高温稳定性、高开关频率特性和低反向恢复电荷，适用于高效率、高功率密度的电力转换系统。典型应用涵盖高压DC-DC变换器、不间断电源、光伏逆变装置及高功率开关电源等场景。
- 商品型号
- R6524KNX3C16-HXY
- 商品编号
- C52754707
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
相似推荐
其他推荐
- NTP190N65S3HF-HXY
- STP26N65DM2-HXY
- FCP190N65F-HXY
- MSJP20N65A-BP-HXY
- AOT25S65L
- SPP20N65C3XKSA1-HXY
- SPP20N60S5-HXY
- IPP65R190C7FKSA1-HXY
- IPP65R190CFD7AAKSA1-HXY
- IPP65R190CFDXKSA2-HXY
- IPP65R190CFD7XKSA1-HXY
- IPP65R190CFDXKSA1-HXY
- IPP65R190CFDAAKSA1-HXY
- FCP190N65S3R0-HXY
- STP20N65M5-HXY
- IPP60R199CPXKSA1-HXY
- R6520KNX3C16-HXY
- IXTP20N65XM-HXY
- SPP20N60CFDXKSA1-HXY
- SPP20N60CFDHKSA1-HXY
- STP18N65M5-HXY