NTP190N65S3HF-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHs标准

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至165mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定可靠的栅极控制。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件可在高频、高温环境下保持优异性能。适用于高压功率转换应用，如高效开关电源、大功率DC-DC变换模块、可再生能源发电系统中的逆变单元以及高密度电源适配器等场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTP190N65S3HF-HXY

商品编号

C52754708

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.83克(g)