IXTP20N65X2-HXY

IXTP20N65X2-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V，确保器件在宽电压条件下稳定工作。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统损耗。典型应用包括高功率密度电源转换、高压直流变换、太阳能逆变系统及高频率开关电源模块等场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXTP20N65X2-HXY

商品编号

C52754706

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.87克(g)