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SSC8164GS9
带ESD保护的N沟道小功率开关MOSFET，适用于便携式设备
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8164GS9
- 商品编号
- C52268591
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件为N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、快速开关速度和低阈值电压,非常适合便携式设备。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低阈值电压
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤
- 显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器