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SSC8336GN4
双N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷，可用于电平转换高端开关等应用
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8336GN4
- 商品编号
- C52268605
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SSC8336GN4采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还适用于众多其他应用。
商品特性
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)、漏源电压增量(ΔVDS)和栅极电阻(Rg)测试!
应用领域
- 逆变器
- 直流-直流转换器
- 半桥和全桥拓扑