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SSC83A0GN6
双N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC83A0GN6
- 商品编号
- C52268619
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1756克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SSC83A0GN6采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还适用于许多其他应用。
商品特性
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)+ 漏源电压变化(ΔVDS)+ 栅极电阻(Rg)测试!
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 直流-直流(DC-DC)转换器
- 无线充电器
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