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SSC8339GS1
双P沟道增强型MOSFET，采用DMOS沟槽技术，适用于负载开关和电池保护等低压电源管理
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8339GS1
- 商品编号
- C52268624
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 800pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造,该技术专门用于最小化导通电阻。该器件特别适用于需要宽范围给定电压额定值(4.5V~25V)的低压电源管理,如负载开关和电池保护。
应用领域
-负载开关-DC-DC转换-笔记本电池
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