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SSC8030GQ4
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关和PWM应用
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8030GQ4
- 商品编号
- C52268611
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDSON和低栅极电荷。此器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- Advanced trench technology
- Excellent RDSON
- Low gate charge
应用领域
-负载开关-笔记本电脑/个人电脑-直流-直流转换