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SSC8066GN4
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低导通电阻和低栅极电荷
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8066GN4
- 商品编号
- C52268617
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12596克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款SSC8066GN4采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDSON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还适用于许多其他应用。
商品特性
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)、漏源电压变化(ΔVDS)和栅极电阻(Rg)测试!
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制(PWM)应用
- 电源管理
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