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SSC8L330GQ6
双不对称N沟道增强型MOSFET，采用SGT技术，适用于DC/DC转换、电源开关和充电电路
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8L330GQ6
- 商品编号
- C52268609
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16572克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V；4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17.6W；27.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.4nC；35.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF；2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF；83pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF；910pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件为N沟道增强型MOSFET。采用SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDSON)。该器件适用于DC/DC转换、电源开关和充电电路。
应用领域
-DC/DC转换器-电源-电机驱动控制-同步整流