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SSC8L420GN6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSC8L420GN6

N沟道增强型MOSFET,采用SGT技术,适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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品牌名称
AF(晶岳)
商品型号
SSC8L420GN6
商品编号
C52268597
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1953克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)57nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.747nF
反向传输电容(Crss)62pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)680pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

该器件为N沟道增强型MOSFET。采用SGT技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDSON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。

商品特性

  • 100%进行UIS + ΔVDS + Rg测试!

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 电源
  • 电机驱动控制
  • 同步整流

数据手册PDF