SSC8L420GN6
N沟道增强型MOSFET,采用SGT技术,适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8L420GN6
- 商品编号
- C52268597
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1953克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.747nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件为N沟道增强型MOSFET。采用SGT技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDSON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
商品特性
- 100%进行UIS + ΔVDS + Rg测试!
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源
- 电机驱动控制
- 同步整流
