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SSC8036GQ4

N沟道增强型MOSFET,采用先进沟槽技术,适用于负载开关和PWM应用

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品牌名称
AF(晶岳)
商品型号
SSC8036GQ4
商品编号
C52268600
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.11636克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)24W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)13nC
属性参数值
输入电容(Ciss)550pF
反向传输电容(Crss)95pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

该器件采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻(RDSON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于脉宽调制(PWM)应用。

商品特性

  • 该器件采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻(RDSON)和低栅极电荷。

应用领域

  • 负载开关
  • 笔记本电脑/个人电脑
  • 直流-直流转换

数据手册PDF