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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSC8164GS8

带ESD保护的N沟道小开关MOSFET,低导通电阻、快速开关速度和低阈值电压,适用于便携式设备

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品牌名称
AF(晶岳)
商品型号
SSC8164GS8
商品编号
C52268601
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.036667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))1Ω@10V
耗散功率(Pd)800mW
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)400pC
属性参数值
输入电容(Ciss)30pF
反向传输电容(Crss)2.9pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)6pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

该器件为N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、快速开关速度和低阈值电压,非常适合用于便携式设备。

商品特性

  • N沟道增强型MOSFET
  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 低阈值电压

应用领域

  • 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
  • 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤
  • 显示器、存储器、晶体管等
  • 电池供电系统
  • 固态继电器

数据手册PDF