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SSC8122GS8
N沟道增强型MOSFET，采用高单元密度和DMOS沟槽技术，适用于低电压应用
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8122GS8
- 商品编号
- C52268602
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0349克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 88pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
该器件是一款采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件特别适用于低电压应用,尤其适用于电池供电电路,其小巧纤薄的外形节省了 PCB 空间。
商品特性
-高单元密度-DMOS 沟槽技术-小巧纤薄的外形
应用领域
-替代数字晶体管-电池供电系统-电源转换电路-负载/电源开关手机