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SSC8122GN1
带ESD保护的N沟道增强型MOSFET，适用于低电压应用
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8122GN1
- 商品编号
- C52268595
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 195mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 680mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 66pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
该器件是一款采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 N 沟道增强型 MOSFET。此器件特别适用于低电压应用,尤其适用于电池供电电路,其小巧纤薄的外形可节省 PCB 占用空间。
应用领域
-负载开关-便携式设备