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SSC8025GS6
P沟道增强型MOSFET，采用高密度DMOS沟槽技术，适用于低电压应用
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8025GS6
- 商品编号
- C52268596
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
该器件采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造,该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低压应用,如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路,并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功耗。
应用领域
-负载开关-便携式设备-DC-DC 转换