温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSC8019GN2
P沟道增强型MOSFET，采用高单元密度DMOS沟槽技术，适用于低电压应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8019GN2
- 商品编号
- C52268592
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0403克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
该器件采用高单元密度 DMOST 沟槽技术制造,该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低压应用,如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路,且在超小外形表面贴装封装中需要低在线功耗。
应用领域
-负载开关-便携式设备-DC-DC 转换-充电