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SSC8036GS6B
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于负载开关和PWM应用
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8036GS6B
- 商品编号
- C52268593
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻(RDSON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 该器件采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻(RDSON)和低栅极电荷。
应用领域
- 负载开关
- 便携式设备
- DC-DC转换