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DMP2045UQ-13-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这是一款P沟道场效应管（MOSFET），具有20V的漏源电压（VDSS）和4.1A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中等功率的电源开关与控制场景。其导通电阻（RDS(on)）低至34mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。该器件适合用于便携式设备、电池供电单元及各类直流电源管理电路中的反向极性保护、负载开关或电源切换功能，满足对空间紧凑和功耗敏感的设计需求，适用于多种小型化电子产品。
- 商品型号
- DMP2045UQ-13-HXY
- 商品编号
- C51949178
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
DMP2045UQ - 13采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -4.1A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 45mΩ
- 静电放电等级:1500V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
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