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PMV75UP-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该P沟道场效应管额定漏源电压（VDSS）为20V，连续漏极电流（ID）可达3A，适用于低电压开关应用。其导通电阻典型值为75mΩ，在低电流负载条件下可有效控制导通损耗，提升系统能效。P沟道结构便于实现高边开关的栅极驱动，简化外围电路设计。常用于电池供电的便携式设备中，如电源路径切换、负载开关控制、充电管理电路及直流输入的反向电压保护等场景，适合对尺寸和功耗敏感的消费类电子产品与嵌入式应用。
- 商品型号
- PMV75UP-HXY
- 商品编号
- C51949177
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
PMV75UP采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -3A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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