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AO3415C-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该P沟道场效应管具备20V漏源电压（VDSS）和5A连续漏极电流（ID）能力，适用于中等功率开关电路。其低导通电阻（典型值30mΩ）可有效减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。P沟道结构简化了高边开关的驱动设计，无需额外的电平转换电路。适用于各类电源管理应用，如电池供电设备的电源切换、负载开关、过流保护电路以及直流电源极性反接保护等场景，适合对效率和空间布局有较高要求的便携式电子产品与嵌入式系统。
- 商品型号
- AO3415C-HXY
- 商品编号
- C51949176
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@2.5V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
AO3415C采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用,具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -5A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 40mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 60mΩ
- ESD等级:1500V HBM
应用领域
-PWM应用-负载开关-SOT-23-P沟道MOSFET
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