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DMG3413L-7-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该P沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和3A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中低功率开关应用。其导通电阻典型值为75mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。采用P沟道设计，便于在高边开关电路中实现栅极驱动控制。器件适用于各类电源管理场景，如便携式设备中的电池供电切换、负载开关电路以及直流电源的反向极性保护等，满足对空间和能效有要求的紧凑型电子设备需求。
- 商品型号
- DMG3413L-7-HXY
- 商品编号
- C51949175
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
DMG3413L-7采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -3A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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