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FDS4559-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:6A 5A
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- 描述
- 这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压60V，连续电流高达6A，特别适合于电池管理系统、电源转换等需要双向电压控制的场合。器件具备双通道设计，实现高效能与低导通电阻，确保在正负电压切换时表现出色，是现代电子产品中理想的功率开关元件。
- 商品型号
- FDS4559-HXY
- 商品编号
- C4748740
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V；12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF@25V；1.137nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF；50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4822-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源