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AO4828-HXY实物图
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AO4828-HXY

2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A

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描述
这款高性能消费级MOSFET采用SOP-8封装,集成双N沟道设计,适用于60V高电压应用环境,最大连续电流可达6.5A。适合于充电器、电源转换、逆变器等高效能电路中,提供低导通电阻和快速开关特性,有效提升系统效率,是现代节能电子设备的理想功率管理组件。
商品型号
AO4828-HXY
商品编号
C4748735
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.205克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd)2.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)50nC@30V
输入电容(Ciss)1.92nF@25V
反向传输电容(Crss)116pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

  • 7.8

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