温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4435-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，额定电压30V，可承载高达9A的连续电流。专为电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
- 商品型号
- AO4435-HXY
- 商品编号
- C4748736
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3415A-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.1A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 45 mΩ
- 静电放电等级：1500V HBM
- SOT-23-3L封装
- P沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源