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AO4612-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5A 4A
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- 描述
- 此消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为处理60V电压下的正负极性切换而设计，提供5A连续电流能力。适用于电池管理、电源转换器等应用领域，具有双通道结构和优越的开关性能，确保低导通电阻与高效能运作，是现代电子设备的理想功率控制组件。
- 商品型号
- AO4612-HXY
- 商品编号
- C4748739
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V；1.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V；12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.027nF@48V；1.137nF@48V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@48V；45pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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