温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4805-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统打造，提供双P沟道结构以实现大电流处理能力，额定电流高达11A。器件拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池管理、电源转换以及高功率电子设备中，实现高效可靠的双向功率控制。
- 商品型号
- AO4805-HXY
- 商品编号
- C4748737
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
2N7002-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V,漏极电流ID = - 8.5A
- 当栅源电压VGS = - 10V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关