AO4805-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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描述
此款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统打造，提供双P沟道结构以实现大电流处理能力，额定电流高达11A。器件拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池管理、电源转换以及高功率电子设备中，实现高效可靠的双向功率控制。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AO4805-HXY商品编号
C4748737商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,6A | |
| 功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.345nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | - |
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