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AO4805-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 此款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统打造，提供双P沟道结构以实现大电流处理能力，额定电流高达11A。器件拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池管理、电源转换以及高功率电子设备中，实现高效可靠的双向功率控制。
- 商品型号
- AO4805-HXY
- 商品编号
- C4748737
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
2N7002-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.3A
- RDS(ON) < 2Ω（VGS = 10V时）
- ESD等级：HBM≥2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源