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9435-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 这款场效应管具有5.8A的电流承载能力，30V的工作电压，以及43mΩ的典型内阻。其VGS为20V，属于P型器件。适用于多种高性能电子设备，确保稳定运行。它的设计注重可靠性和效率，满足各种应用需求。
- 商品型号
- 9435-HXY
- 商品编号
- C4748734
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
5N10-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 125 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源