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AO4410-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达18A。专为中高功率应用设计，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，以其紧凑尺寸和卓越性能满足现代电子产品高效能需求。
- 商品型号
- AO4410-HXY
- 商品编号
- C4748732
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg）=12 nC）
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器