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AO4407-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO4407-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:12A

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描述
这款场效应管具有12A的电流承载能力,最大30V的工作电压,典型的10mΩ内阻,以及20V的栅源极电压。作为P型器件,它在电路设计中能够提供高效的电流控制和稳定的性能表现,适合多种应用场景。
商品型号
AO4407-HXY
商品编号
C4748733
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.202克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)4.7nF@15V
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AO4435采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -11A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 16mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF