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5N10-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用精巧SOT-23封装，专为100V电压应用设计，具备5A高连续电流承载能力。凭借其卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源转换和各类高效能电子设备中，实现精确可靠的功率控制。
- 商品型号
- 5N10-HXY
- 商品编号
- C4748730
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3404-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 5 A
- RDS(ON) < 28 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源