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2N7002-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于精确控制小电流的电子设备。其参数为：最大电流0.3A，耐压60V，内阻典型值1000mR，栅源极电压VGS为20V。适用于电源管理、信号放大等应用，确保电路稳定高效。
- 商品型号
- 2N7002-HXY
- 商品编号
- C4748728
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3401-ED采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -3A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 130mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 148mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关