1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 20+: ¥0.059082 ¥0.064925
- 200+: ¥0.048268 ¥0.053042
- 600+: ¥0.042261 ¥0.046441
- 3000+: ¥0.033104 ¥0.036378 (折合1圆盘109.13元)
- 9000+: ¥0.02998 ¥0.032945 (折合1圆盘98.84元)
- 21000+: ¥0.028298 ¥0.031097 (折合1圆盘93.29元)
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¥0.042261 ¥0.046441 |
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¥0.033104 ¥0.036378 (折合1圆盘109.13元) |
9000+: |
¥0.02998 ¥0.032945 (折合1圆盘98.84元) |
21000+: |
¥0.028298 ¥0.031097 (折合1圆盘93.29元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
功率(Pd) | 350mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,0.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 21pF@25V |