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AO3404-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 这款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，拥有N沟道构造，额定电压高达30V，能承载5A稳定电流，适用于各类电子设备的电源开关与转换控制。其优良性能和小巧体积，为电路设计提供高效、可靠的功率管理解决方案。
- 商品型号
- AO3404-HXY
- 商品编号
- C4748725
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3401-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.2A
- VGS = 10V时，RDS(ON) < 54mΩ
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 77mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET