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AO3407-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET封装为SOT-23-3L，额定电压高达30V，连续电流承载能力为4.1A，适用于各类电源转换和开关控制场景。其精巧尺寸与卓越性能相融合，为电子设计提供高效、稳定的功率管理解决方案。
- 商品型号
- AO3407-HXY
- 商品编号
- C4748726
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
9435采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -5.8A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 55 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源