1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
- 20+: ¥0.108089 / 个
- 200+: ¥0.084749 / 个
- 600+: ¥0.071783 / 个
- 3000+: ¥0.068879 / 个 (折合1圆盘206.64元)
- 9000+: ¥0.062136 / 个 (折合1圆盘186.41元)
- 21000+: ¥0.058505 / 个 (折合1圆盘175.52元)
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¥0.068879 / 个 (折合1圆盘206.64元) |
9000+: |
¥0.062136 / 个 (折合1圆盘186.41元) |
21000+: |
¥0.058505 / 个 (折合1圆盘175.52元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
功率(Pd) | 700mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V,2A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 260pF@10V |