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AO3410
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和7A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至12mΩ，在低电压开关应用中可有效降低导通损耗。栅源额定电压为±12V，适合与常见驱动电路匹配。其低RDSON特性有助于减少发热，提升系统能效。适用于电源转换、电池供电设备中的开关控制、负载开关、DC-DC变换器及各类便携式电子产品中的功率管理电路，为高密度、高效率的功率开关应用提供稳定的器件支持。
- 商品型号
- AO3410
- 商品编号
- C50177026
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
AO3410采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5.7A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源