温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO3413
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该P沟道场效应管具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和4.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻为48mΩ，适用于低电压开关与电源控制场合。栅源电压范围为±12V，具备良好的栅极驱动兼容性。相较于N沟道器件，P沟道结构在高端开关应用中可简化驱动设计。其较低的RDSON有助于减少导通损耗，提升能效。常用于电池供电设备的电源管理、便携式电子产品中的负载开关、DC-DC转换电路及电压反接保护电路，为低压直流系统提供可靠的开关控制方案。
- 商品型号
- AO3413
- 商品编号
- C50177027
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V；48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |